深圳市潤(rùn)華創(chuàng)芯科技有限公司作為專業(yè)的集成半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與供應(yīng)商，始終致力于推廣性能卓越，質(zhì)量穩(wěn)定且具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的集成半導(dǎo)體器件。為客戶提供優(yōu)秀的芯片方案，在功率半導(dǎo)體器件方面提供擊穿電壓覆蓋-100V至700V的MOSFET，穩(wěn)態(tài)電流覆蓋100mA至400A的選擇范圍。采用最先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了MOSFET的功率密度最大化，顯著降低了電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通功率損耗。同時(shí)，提供低開關(guān)損耗的系列MOSFET，產(chǎn)品有效減低了槽極電荷（Qg），尤其是槽漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)損耗。產(chǎn)品采用先進(jìn)的SGT工藝，將MOSFET功率，散熱和可靠性提升至新的高度，確保MOSFET在復(fù)雜使用環(huán)境中的可靠性，且有效的降低了成本。
